(ITA-2014)É muito comum a ocorrência de impurezas em cristais semicondutores. Em primeira aproximação, a energia de ionização dessas impurezas pode ser calculada num modelo semelhante ao do átomo de hidrogênio. Considere um semicondutor com uma impureza de carga +e atraindo um elétron de carga –e. Devido a interações com os átomos da rede cristalina, o elétron, no semicondutor, possui uma massa igual a mrm0, em que m0 é a massa de repouso do elétron e mr, uma constante adimensional. O conjunto impureza/elétron está imerso no meio semicondutor de permissividade relativa εr. A razão entre a energia de ionização desta impureza e a energia de ionização do átomo de hidrogênio é igual a
1.
mr/εr2.
εr2/mr.
mr/εr.
εr/mr.
Gabarito:
mr/εr2.
A energia de ionização do átomo de hidrogênio é:
A energia no cristal terá a mesma cara, mas substituímos m_0 por m0*m_r, e e_0 por e_0*e_r:
Quando fizer a razão entre as energias vai encontrar:
(ITA - 2014 - 1ª FASE) Das afirmações:
I. Se x, y ∈ , com y ≠ – x, então x + y ∈ ;
II. Se x ∈ e y ∈ , então xy ∈ ;
III. Sejam a, b, c ∈ , com a < b < c. Se f : [a, c] → [a, b] é sobrejetora, então f não é injetora,
é (são) verdadeira(s):
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Considere as funções f, g : → , f(x) = ax + m, g(x) = bx + n, em que a, b, m e n, são constantes reais. Se A e B são as imagens de f e de g, respectivamente, então, das afirmações abaixo:
I. Se A = B, então a = b e m = n;
II. Se A = , então a = 1;
III. Se a, b, m, n ∈ , com a = b e m = – n, então A = B,
é (são) verdadeira(s)
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